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【 名 稱 】: 《晶硅生產(chǎn)工藝配方、多晶硅刻蝕工藝》
【 日 期 】: 2011
【 冊 數(shù) 】: 全套
【 原 價 】:  380  
【 現(xiàn) 價 】: 320  
【上傳日期】: 2011年6月2日18點55分6秒  

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01、一種太陽能電池用高純多晶硅的制備方法和裝置
02、一種制備太陽能級多晶硅的方法
03、形成多晶硅薄膜的方法及用該方法制造薄膜晶體管的方法
04、用于多晶硅低溫結(jié)晶化的金屬催化劑摻雜裝置及通過該裝置進(jìn)行摻雜的方法
05、一種生產(chǎn)多晶硅用的還原爐
06、多晶硅的制造方法
07、多晶硅柵極摻雜方法
08、一種多晶硅生產(chǎn)過程中的副產(chǎn)物的綜合利用方法
09、激光薄膜多晶硅退火光學(xué)系統(tǒng)
10、激光薄膜多晶硅退火系統(tǒng)
11、用于連續(xù)橫向固化技術(shù)的掩膜及用其形成多晶硅層的方法
12、具有低摻雜漏極結(jié)構(gòu)的低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法
13、用于在襯底上淀積多晶硅層的裝置
14、高壓水氣退火的多晶硅薄膜晶體管組件的制作方法
15、鑄模及其形成方法和采用此鑄模的多晶硅基板的制造方法
16、一種多晶硅刻蝕工藝中的顆粒控制方法
17、一種能夠消除殘氣影響的多晶硅刻蝕工藝
18、一種提高各向異性的多晶硅脈沖刻蝕工藝
19、一種減少顆粒產(chǎn)生的多晶硅柵極刻蝕工藝
20、一種能夠防止器件等離子體損傷的多晶硅刻蝕工藝
21、具有平坦表面的多晶硅薄膜及其制造方法
22、多晶硅絕緣層多晶硅電容和高阻多晶硅器件及制作方法
23、用于沉積多晶硅的CVD裝置
24、一種多晶硅刻蝕中的干法清洗工藝
25、多晶硅薄膜制造方法和具有其的薄膜晶體管的制造方法
26、一種去除多晶硅刻蝕工藝中殘留聚合物的方法
27、一種防止多晶硅刻蝕中器件等離子損傷的刻蝕工藝
28、雙膽堿和三膽堿在涂石英多晶硅和其它材料清潔中的用法
29、限定多晶硅圖案的方法
30、激光退火多晶硅薄膜晶體管柵絕緣層的制備方法
31、用于多晶硅制作的輔助激光結(jié)晶的方法
32、形成多晶硅薄膜的方法，包含多晶硅薄膜的薄膜晶體管及其制造方法
33、浸沾法金屬誘導(dǎo)碟形晶疇多晶硅薄膜材料及制備和應(yīng)用
34、溶液法金屬誘導(dǎo)晶化大晶粒多晶硅薄膜材料及制備和應(yīng)用
35、硅薄膜退火方法和由該方法制造的多晶硅薄膜
36、薄膜晶體管與多晶硅層的制造方法
37、具有多晶硅浮動隔離層的鏡像存儲單元晶體管對
38、激光輻射方法和形成多晶硅薄膜的裝置
39、有機發(fā)光二極管顯示面板及其多晶硅通道層的形成方法
40、具有單層多晶硅的鏡像非易失性存儲器單元晶體管對
41、單層多晶硅電可擦可編程只讀存儲器
42、一種改善線條粗糙度的多晶硅刻蝕方法
43、形成多晶硅結(jié)構(gòu)
44、在半導(dǎo)體裝置中形成多晶硅層的方法
45、制備多晶硅薄膜的方法以及用其制備半導(dǎo)體器件的方法
46、低溫多晶硅薄膜晶體管及其通道層的制造方法
47、低溫多晶硅薄膜晶體管全集成有源選址基板及制備方法
48、一種制備多晶硅的方法
49、形成具有粗糙表面的多晶硅的方法
50、彩色多晶硅微粒及其制備方法
51、一種用于制備多晶硅絨面的酸腐蝕溶液及其使用方法
52、多晶硅薄膜殘余應(yīng)變的在線檢測結(jié)構(gòu)及檢測方法
53、一種抑制多晶硅針孔的多晶硅層緩沖局部場氧化硅結(jié)構(gòu)工藝方法
54、以連續(xù)式側(cè)向固化法形成多晶硅膜的方法及其光罩圖案
55、多晶硅的生產(chǎn)裝置
56、形成具高電阻值的多晶硅薄膜的方法
57、利用雙鑲嵌工藝來制造T型多晶硅柵極的方法
58、一種納米線寬多晶硅柵刻蝕掩膜圖形的形成方法
59、1550納米線寬多晶硅柵的刻蝕方法
60、應(yīng)用于高效能薄膜晶體管的多晶硅退火結(jié)構(gòu)及其方法
61、形成多晶硅的方法和在硅基材料中的MOSFET器件
62、多晶硅膜的形成方法
63、制造多晶硅薄膜的方法及用其制造晶體管的方法
64、多晶硅薄膜晶體管的多晶硅膜的形成方法
65、制造多晶硅薄膜的方法和使用該多晶硅的薄膜晶體管
66、無粉塵且無微孔的高純度粒狀多晶硅
67、形成多晶硅鍺層的方法
68、多晶硅化金屬柵極結(jié)構(gòu)及其制造方法
69、低溫多晶硅薄膜電晶體基板及其制作方法
70、制作低溫多晶硅薄膜的方法
71、一種制備多晶硅絨面的方法
72、減小微溝道效應(yīng)的多晶硅刻蝕工藝
73、用場效應(yīng)管和雙極基極多晶硅層制造多晶硅電容器的方法
74、測量多晶硅薄膜熱膨脹系數(shù)的測量結(jié)構(gòu)及其測量方法
75、超小粒徑多晶硅的結(jié)構(gòu)和方法
76、光罩與應(yīng)用其形成多晶硅層的方法
77、低溫多晶硅薄膜的制造方法
78、多晶硅層的結(jié)晶方法
79、多晶硅薄膜的制造方法
80、低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法
81、多晶硅的制作方法和使用多晶硅的開關(guān)器件
82、制造多晶硅層的方法
83、形成多晶硅層及多晶硅薄膜晶體管的方法
84、基于電感耦合等離子體刻蝕多晶硅及制備超細(xì)線條的方法
85、將非晶硅轉(zhuǎn)換為多晶硅的方法
86、利用準(zhǔn)分子激光再結(jié)晶工藝來制作多晶硅薄膜的方法
87、多晶硅氫還原爐
88、薄膜晶體管的多晶硅制造方法
89、于基板上形成多晶硅層的方法
90、半導(dǎo)體電路制造的多層多晶硅瓦片結(jié)構(gòu)
91、用于增加多晶硅熔化速率的間歇式加料技術(shù)
92、用于結(jié)晶多晶硅的掩膜及利用該掩膜形成薄膜晶體管的方法
93、利用準(zhǔn)分子激光退火工藝制作多晶硅薄膜的方法
94、多晶硅薄膜的晶粒尺寸的控制及其檢測方法
95、一種四氯化硅、多晶硅和石英玻璃的聯(lián)合制備法
96、低溫多晶硅薄膜的制造方法及低溫多晶硅薄膜晶體管
97、制備多晶硅的方法
98、一種在陶瓷襯底上沉積大晶粒多晶硅薄膜的方法
99、多晶硅的定向生長方法
100、多晶硅、其生產(chǎn)方法及生產(chǎn)裝置
101、多晶硅層的制作方法
102、由多晶硅裝料制備熔化的硅熔體的方法和裝置
103、利用放熱反應(yīng)制備多晶硅的方法
104、制備多晶硅顆粒的方法和裝置
105、多晶硅化學(xué)氣相沉積方法和裝置
106、多晶硅棒及其制造方法
107、低溫多晶硅有機電激發(fā)光裝置的制法
108、多晶硅膜的制造方法
109、用三氯氫硅和四氯化硅混合源生產(chǎn)多晶硅的方法
110、在半導(dǎo)體制作過程中通過氘以形成多晶硅層的方法
111、多晶硅棒及其加工方法
112、多晶硅間介電層的制造方法
113、多晶硅薄膜的制作方法
114、多晶硅太陽電池絨面的制備方法
115、形成多晶硅薄膜的方法
116、表面修飾溶液誘導(dǎo)晶化多晶硅薄膜的制備方法
117、多晶硅膜的制造方法以及薄膜晶體管的制造方法
118、形成多晶硅薄膜裝置的方法


                                              
晶硅生產(chǎn)工藝配方、多晶硅刻蝕工藝
晶硅生產(chǎn)工藝配方、多晶硅刻蝕工藝
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